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iSuppli2015年前智能手机DRA

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来源: 作者: 2019-03-13 11:42:42

10月20日消息,据国外媒体报道,根据调研机构IHSiSuppli,今年应用在智能上的DRAM芯片出货量将有惊人的三位数增长,超过整体DRAM市场的增长幅度。

以1GB等量单位估算,用在智能的DRAM出货量今年预计上升至17亿个单位,较去年6.72亿个单位增长157.2%。到2015年之前,出货量将上升至139亿个单位,较今年增长700%。

IHS存储芯片需求预测部门的分析师CliffordLeimbach表示:“智能内使用的DRAM正快速上升,主要是因为这些是高存储密度的芯片,且设备销售量也不断上升所致。”

今年DRAM在智能的增长惊人,与此相较,整体DRAM市场(主要为对PC业务的销售量)的出货量增长仅50%就失色许多。这两者的增长差距解释了DRAM厂商积极竞争DRAM市场的原因。虽然DRAM芯片也用于平板电脑和电脑等设备,但智能的DRAM市场仍会持续增长。

整体DRAM使用量中,今年智能的使用率将从去年的4.4%上升至7.6%,明年提高至10.6%,2013年达13.4%,2014年达14.9%,下一年达16.0%。

至少近来发行的四款智能,通过IHSiSuppli拆解内部后,发现这些设备都搭载更大量的DRAM芯片。

索尼爱立信的XperiaPLAY搭载512MB的DRAM芯片,而三星电子的GalaxyIndulge搭载576MB的DRAM芯片,苹果iPhone4的DRAM芯片达544MB,宏达电的Thunderbolt则配备最高等级768MB的DRAM芯片。

这四款智能的存储体配置均使用离散DRAM芯片,以及含NAND快闪存储芯片的标准方式。其他设备的存储体配置方式包括使用多芯片封装(MCP),将DRAM和NAND等不同的存储体整合成单一芯片等。

这些厂在优化表现性能时,仍积极维持整体成本持平。因此这四款的材料费用表(BOM)中,存储体费用比例平均在15.7%,唯一超过这比例的只有iPhone,iPhone的存储体成本占整体BOM表高达22.1%。

但即使厂努力缩限存储体成本,但智能的DRAM平均密度仍会逐渐提升,预期明年智能DRAM平均密度就会提高至715MB,较今年461MB的水准提高55%,且短期看来,增长强劲。

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